型号:IXFN70N60Q2 | 类别:FET | 制造商:IXYS |
封装:SOT-227-4,miniBLOC | 描述:MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B |
详细参数
类别 | FET |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B |
系列 | HiPerFET™ |
制造商 | IXYS |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 70A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 80 毫欧 @ 35A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 5V @ 8mA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 265nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 7200pF @ 25V |
功率_最大 | 890W |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
供应商设备封装 | SOT-227B |
包装 | 管件 |
供应商
HECC GROUP CO,LIMITED | 蔡小姐/吴小姐/钱先生/朱先生086-755-88608527(高端电子元件渠道商)/83950895/83950890 |
HECC GROUP CO,LIMITED | 朱先生086-755-83950890(高端元件渠道商)/83950019/83950895 |
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苏州银邦电子科技有限公司 | 19951158678086-0512-57718939 |
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